IXFV18N90P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFV18N90P概述

PLUS N-CH 900V 18A

N-Channel 900V 18A Tc 540W Tc Through Hole PLUS220

得捷:
MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220

贸泽:
MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds

IXFV18N90P中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 600 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 540 W

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

连续漏极电流Ids 18A

输入电容Ciss 5230pF @25VVds

额定功率Max 540 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 540W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： IXFV18N90P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：PLUS N-CH 900V 18A

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