INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS43TR16128B-15HBLI 芯片, 存储器, SDRAM, DDR3, 2GB, 1333MT/S, FBGA-96
SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb(128M x 16) 并联 667 MHz 20 ns 96-TWBGA(9x13)
得捷:
IC DRAM 2GBIT PAR 96TWBGA
贸泽:
DRAM 2G, 1.5V, 1333MT/s 128Mx16 DDR3 SDRAM
艾睿:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA
安富利:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.35V/1.5V 96-Pin TW-BGA
Verical:
DRAM Chip DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96-Pin TW-BGA
Newark:
# INTEGRATED SILICON SOLUTION ISSI IS43TR16128B-15HBLI SDRAM, DDR3, 2GB, 1333MT/S, FBGA-96
供电电流 255 mA
针脚数 96
时钟频率 667 MHz
位数 16
存取时间 13.5 ns
存取时间Max 0.255 ns
工作温度Max 95 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 1.425V ~ 1.575V
电源电压Max 1.575 V
电源电压Min 1.425 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 96
封装 FBGA-96
封装 FBGA-96
工作温度 -40℃ ~ 95℃
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 工业, 车用, Automotive, Industrial, Commercial, 商业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IS43TR16128B-15HBLI Integrated Silicon SolutionISSI | 当前型号 | 当前型号 |
IS43TR16128B-15HBLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI | 功能相似 | IS43TR16128B-15HBLI和IS43TR16128B-15HBLI-TR的区别 |