TO-268 N-CH 500V 32A
N-Channel 500V 32A Tc 360W Tc Through Hole TO-268
得捷:
MOSFET N-CH 500V 32A TO268
贸泽:
MOSFET 32 Amps 500V 0.15 Rds
通道数 1
漏源极电阻 150 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 360 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 32A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 3950pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-220-3
长度 16.05 mm
宽度 14 mm
高度 5.1 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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