IXTH150N17T

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IXTH150N17T概述

TO-247 N-CH 175V 150A

通孔 N 通道 175 V 150A(Tc) 830W(Tc) TO-247(IXTH)


得捷:
MOSFET N-CH 175V 150A TO247


Win Source:
MOSFET N-CH 175V 150A TO-247


IXTH150N17T中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 830W Tc

漏源极电压Vds 175 V

连续漏极电流Ids 150A

输入电容Ciss 9800pF @25VVds

耗散功率Max 830W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTH150N17T
型号: IXTH150N17T
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-247 N-CH 175V 150A
替代型号IXTH150N17T
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