IXTT12N140参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXTT12N140图片1

IXTT12N140概述

TO-268AA N-CH 1400V 12A

表面贴装型 N 通道 1400 V 12A（Tc） 890W（Tc） TO-268

得捷:
MOSFET N-CH 1400V 12A TO268

IXTT12N140中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 890W Tc

漏源极电压Vds 1400 V

连续漏极电流Ids 12A

输入电容Ciss 3720pF @25VVds

耗散功率Max 890W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTT12N140

型号： IXTT12N140

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TO-268AA N-CH 1400V 12A

替代型号IXTT12N140

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXTT12N140 IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXTT12N150 IXYS Semiconductor	类似代替	IXTT12N140和IXTT12N150的区别
IXTT12N150HV IXYS Semiconductor	类似代替	IXTT12N140和IXTT12N150HV的区别
IXTH12N150 IXYS Semiconductor	功能相似	IXTT12N140和IXTH12N150的区别