IRFD210中文资料参数规格 技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 600 mA
极性 N-Channel
耗散功率 1.30 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200V min
连续漏极电流Ids 600 mA
上升时间 17.0 ns
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 HVMDIP-4
外形尺寸
长度 6.29 mm
宽度 5 mm
高度 3.37 mm
封装 HVMDIP-4
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
在线购买IRFD210 型号: IRFD210
描述:功率MOSFET Power MOSFET