IXFX210N17T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXFX210N17T概述

PLUS N-CH 170V 210A

N-Channel 170V 210A Tc 1150W Tc Through Hole PLUS247™-3

得捷:
MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247-3

IXFX210N17T中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1150W Tc

漏源极电压Vds 170 V

连续漏极电流Ids 210A

输入电容Ciss 18800pF @25VVds

耗散功率Max 1150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFX210N17T

型号： IXFX210N17T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：PLUS N-CH 170V 210A

替代型号IXFX210N17T

型号/品牌

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