IRFBG30中文资料参数规格 技术参数
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 3.10 A
漏源极电阻 5.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 1.00 kV
漏源击穿电压 1.00kV min
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 3.10 A
上升时间 25 ns
下降时间 20 ns
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
在线购买IRFBG30 型号: IRFBG30
描述:功率MOSFET Power MOSFET