IRFBG30

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IRFBG30中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 3.10 A

漏源极电阻 5.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 1.00 kV

漏源击穿电压 1.00kV min

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.10 A

上升时间 25 ns

下降时间 20 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: IRFBG30
描述:功率MOSFET Power MOSFET

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