IRF1010NS参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IRF1010NS概述

D2PAK N-CH 55V 85A

Benefits:

.: RoHS Compliant

.: Low RDSon

.: Industry-leading quality

.: Dynamic dv/dt Rating

.: Fast Switching

.: Fully Avalanche Rated

.: 175°C Operating Temperature

得捷:
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK

安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3-Pin2+Tab D2PAK

IRF1010NS中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 85.0 A

极性 N-CH

产品系列 IRF1010NS

漏源极电压Vds 55.0 V

漏源击穿电压 55.0V min

连续漏极电流Ids 85.0 A

上升时间 76 ns

下降时间 48 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： IRF1010NS

制造商： Infineon 英飞凌

描述：D2PAK N-CH 55V 85A