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IRF3515S概述

D2PAK N-CH 150V 41A

表面贴装型 N 通道 41A（Tc） 200W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK

安富利:
Trans MOSFET N-CH 150V 41A 3-Pin2+Tab D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK

IRF3515S中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 41.0 A

极性 N-CH

耗散功率 200W Tc

产品系列 IRF3515S

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 41.0 A

上升时间 120 ns

输入电容Ciss 2260pF @25VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 63 ns

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

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型号： IRF3515S

制造商： Infineon 英飞凌

描述：D2PAK N-CH 150V 41A