IRFIBF30G中文资料参数规格 技术参数
额定电压DC 900 V
额定电流 1.90 A
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 35.0 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
连续漏极电流Ids 1.90 A
上升时间 25.0 ns
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.49 mm
封装 TO-220-3
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
在线购买IRFIBF30G 型号: IRFIBF30G
描述:功率MOSFET Power MOSFET