IRF7353D1TR参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IRF7353D1TR概述

SOIC N-CH 30V 6.5A

N-Channel 30V 6.5A Ta 2W Ta Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

IRF7353D1TR中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.5A

输入电容Ciss 650pF @25VVds

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

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型号： IRF7353D1TR

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC N-CH 30V 6.5A