IRF7807参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IRF7807概述

SOIC N-CH 30V 8.3A

Benefits:

.: RoHS Compliant

.: Industry-leading quality

.: Low Switching Losses

.: Low Conduction Losses

得捷:
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC

Win Source:
Chip-Set for DC-DC Converters

IRF7807中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 13.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta

产品系列 IRF7807

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 8.30 A

上升时间 17 ns

下降时间 6 ns

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF7807

型号： IRF7807

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC N-CH 30V 8.3A

替代型号IRF7807

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF7807 Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRF7807A 英飞凌	类似代替	IRF7807和IRF7807A的区别
IRF7807TR 英飞凌	类似代替	IRF7807和IRF7807TR的区别
IRF7807TRPBF 英飞凌	功能相似	IRF7807和IRF7807TRPBF的区别