IRF7604TR

IRF7604TR图片1
IRF7604TR概述

SOIC P-CH 20V 3.6A

表面贴装型 P 通道 3.6A(Ta) Micro8™


得捷:
MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.6A 8-Pin SOIC T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8


IRF7604TR中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.8W Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3.6A

上升时间 53 ns

输入电容Ciss 590pF @15VVds

额定功率Max 1.8 W

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSSOP-8

外形尺寸

封装 TSSOP-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号: IRF7604TR
描述:SOIC P-CH 20V 3.6A

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