IPA60R099C6

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IPA60R099C6概述

Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


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IPA60R099C6


欧时:
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 38A TO220FP-3 CoolMOS C6


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 37.9A 3-Pin TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


儒卓力:
**N-CH 600V 37,9A 99mOhm TO220FP **


力源芯城:
600V,38A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP


IPA60R099C6中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.09 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 37.9A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 2660pF @100VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPA60R099C6
型号: IPA60R099C6
描述:Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号IPA60R099C6
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPA60R099C6

Infineon 英飞凌

当前型号

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STF34NM60ND

意法半导体

功能相似

IPA60R099C6和STF34NM60ND的区别

STF34NM60N

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