Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 38A TO220FP-3 CoolMOS C6
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 37.9A 3-Pin TO-220FP Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
儒卓力:
**N-CH 600V 37,9A 99mOhm TO220FP **
力源芯城:
600V,38A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
针脚数 3
漏源极电阻 0.09 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 35 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 37.9A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 2660pF @100VVds
额定功率Max 35 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 35W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
高度 16.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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