IRF640N参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF640N概述

TO-220AB N-CH 200V 18A

Benefits:

.: RoHS Compliant

.: Low RDSon

.: Industry-leading quality

.: Dynamic dv/dt Rating

.: Fast Switching

.: Fully Avalanche Rated

.: 175°C Operating Temperature

得捷:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

IRF640N中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 18.0 A

漏源极电阻 150 mΩ max

极性 N-CH

产品系列 IRF640N

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200V min

连续漏极电流Ids 18.0 A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 1160pF @25VVds

下降时间 5.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Consumer Full-Bridge, Push-Pull, Full-Bridge

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： IRF640N

制造商： Infineon 英飞凌

描述：TO-220AB N-CH 200V 18A

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