SOT-223 N-CH 55V 5.2A
Benefits:
- .
- RoHS Compliant
- .
- Low RDSon
- .
- Industry-leading quality
- .
- Dynamic dv/dt Rating
- .
- Fast Switching
- .
- Fully Avalanche Rated
- .
- 175°C Operating Temperature
得捷:
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 5.2A 4-Pin3+Tab SOT-223
极性 N-CH
耗散功率 1W Ta
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 5.2A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 660pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFL4105 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFL4105TR 英飞凌 | 类似代替 | IRFL4105和IRFL4105TR的区别 |
IRFL4105TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRFL4105和IRFL4105TRPBF的区别 |
IRFL4105PBF 英飞凌 | 功能相似 | IRFL4105和IRFL4105PBF的区别 |