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IRF5210L概述

TO-262P-CH 100V 40A

Benefits:

.: RoHS Compliant

.: Low RDSon

.: Industry-leading quality

.: Dynamic dv/dt Rating

.: Fast Switching

.: Fully Avalanche Rated

.: 175°C Operating Temperature

.: P-Channel MOSFET

IRF5210L中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 3.8W Ta, 200W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 40A

输入电容Ciss 2700pF @25VVds

耗散功率Max 3.8W Ta, 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买IRF5210L

型号： IRF5210L

制造商： Infineon 英飞凌

描述：TO-262P-CH 100V 40A

替代型号IRF5210L

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF5210L Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRF5210LPBF 英飞凌	类似代替	IRF5210L和IRF5210LPBF的区别
IRF5210PBF 英飞凌	功能相似	IRF5210L和IRF5210PBF的区别
IRF5210STRLPBF 英飞凌	功能相似	IRF5210L和IRF5210STRLPBF的区别