TO-262P-CH 55V 19A
通孔 P 通道 55 V 19A(Tc) 3.8W(Ta),68W(Tc) TO-262
得捷: MOSFET P-CH 55V 19A TO262
极性 P-CH
耗散功率 3.8W Ta, 68W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 19A
输入电容Ciss 620pF @25VVds
耗散功率Max 3.8W Ta, 68W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册
IRF9Z34NL
Infineon 英飞凌
当前型号
IRF9Z34NLPBF
英飞凌
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