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IRF7464TR概述

SOIC N-CH 200V 1.2A

表面贴装型 N 通道 200 V 1.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC

IRF7464TR中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 1.2A

输入电容Ciss 280pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买IRF7464TR

型号： IRF7464TR

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC N-CH 200V 1.2A