IRF1010NSTRR概述
D2PAK N-CH 55V 85A
N-Channel 55V 85A Tc 180W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 85A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
IRF1010NSTRR中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 180W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 85A
上升时间 76 ns
输入电容Ciss 3210pF @25VVds
下降时间 48 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 180W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
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替代型号IRF1010NSTRR
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|---|---|---|
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