TO-262 N-CH 55V 110A
通孔 N 通道 110A(Tc) 200W(Tc) TO-262
得捷: MOSFET N-CH 55V 110A TO262
极性 N-CH
耗散功率 200W Tc
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 110A
输入电容Ciss 3247pF @25VVds
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准
含铅标准
数据手册
IRF3205L
Infineon 英飞凌
当前型号
IRF3205LPBF
英飞凌
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