IRF1104L参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF1104L概述

TO-262 N-CH 40V 100A

N-Channel 40V 100A Tc 2.4W Ta, 170W Tc Through Hole TO-262

得捷:
MOSFET N-CH 40V 100A TO262

Win Source:
HEXFET Power MOSFET | MOSFET N-CH 40V 100A TO-262

IRF1104L中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.4W Ta, 170W Tc

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 100A

输入电容Ciss 2900pF @25VVds

耗散功率Max 2.4W Ta, 170W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： IRF1104L

描述：TO-262 N-CH 40V 100A