IRFU9N20D概述
IPAK N-CH 200V 9.4A
N-Channel 200V 9.4A Tc 86W Tc Through Hole IPAK TO-251
得捷:
MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK
IRFU9N20D中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 9.40 A
极性 N-Channel
耗散功率 86W Tc
产品系列 IRFU9N20D
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 9.40 A
上升时间 16.0 ns
输入电容Ciss 560pF @25VVds
耗散功率Max 86W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
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