IRF7322D1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IRF7322D1概述

SOIC P-CH 20V 5.3A

表面贴装型 P 通道 5.3A（Ta） 2W（Ta） 8-SO

得捷:
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SO

Win Source:
MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC

IRF7322D1中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 2W Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 5.3A

输入电容Ciss 780pF @15VVds

额定功率Max 2 W

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： IRF7322D1

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC P-CH 20V 5.3A