IRFB17N20D参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRFB17N20D概述

TO-220AB N-CH 200V 16A

N-Channel 200V 16A Tc 3.8W Ta, 140W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB

IRFB17N20D中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.8W Ta, 140W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 16A

输入电容Ciss 1100pF @25VVds

耗散功率Max 3.8W Ta, 140W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： IRFB17N20D

描述：TO-220AB N-CH 200V 16A