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IRF630NSTRR图片1

IRF630NSTRR概述

D2PAK N-CH 200V 9.3A

N-Channel 200V 9.3A Tc 82W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

IRF630NSTRR中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 82W Tc

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 9.3A

输入电容Ciss 575pF @25VVds

额定功率Max 82 W

耗散功率Max 82W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

在线购买IRF630NSTRR

型号： IRF630NSTRR

制造商： Infineon 英飞凌

描述：D2PAK N-CH 200V 9.3A

替代型号IRF630NSTRR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF630NSTRR Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRF630NSTRLPBF 英飞凌	类似代替	IRF630NSTRR和IRF630NSTRLPBF的区别
IRF630NSPBF 英飞凌	类似代替	IRF630NSTRR和IRF630NSPBF的区别
IRF630NSTRRPBF 英飞凌	类似代替	IRF630NSTRR和IRF630NSTRRPBF的区别