IRF7492TR参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IRF7492TR图片1

IRF7492TR图片2

IRF7492TR概述

SOIC N-CH 200V 3.7A

N-Channel 200V 3.7A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8SO

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-SOIC

IRF7492TR中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 3.7A

输入电容Ciss 1820pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF7492TR

型号： IRF7492TR

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC N-CH 200V 3.7A