DPAK N-CH 30V 86A
Benefits:
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- RoHS Compliant
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- Industry-leading quality
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- Low RDSON at 4.5V VGS
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- Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
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- Ultra-Low Gate Impedance
得捷:
MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 86.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 79W Tc
产品系列 IRFR3709Z
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 86.0 A
上升时间 12.0 ns
输入电容Ciss 2330pF @15VVds
耗散功率Max 79W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFR3709Z Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFR3709ZTRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFR3709Z和IRFR3709ZTRPBF的区别 |
IRFR3709ZPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFR3709Z和IRFR3709ZPBF的区别 |
IRFR3709ZTRRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRFR3709Z和IRFR3709ZTRRPBF的区别 |