IRF7493TR概述
SOIC N-CH 80V 9.3A
表面贴装型 N 通道 80 V 9.3A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8SO
安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
IRF7493TR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 9.30 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Tc
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80.0 V
连续漏极电流Ids 9.30 A
上升时间 7.5 ns
输入电容Ciss 1510pF @25VVds
下降时间 12 ns
耗散功率Max 2.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
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替代型号IRF7493TR
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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