SOIC N-CH 30V 11A
N-Channel 30V 11A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
额定电压DC 30.0 V
额定电流 11.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta
产品系列 IRF7807Z
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 6.2 ns
输入电容Ciss 770pF @15VVds
下降时间 3.1 ns
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IRF7807ZTR Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF7807ZTRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF7807ZTR和IRF7807ZTRPBF的区别 |