IRF6612TR1概述
Direct-FET N-CH 30V 136A
N-Channel 30V 24A Ta, 136A Tc 2.8W Ta, 89W Tc Surface Mount DIRECTFET™ MX
得捷:
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 136A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET
IRF6612TR1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
额定电流 24.0 A
漏源极电阻 2.50 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.8W Ta, 89W Tc
产品系列 IRF6612
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
上升时间 52 ns
输入电容Ciss 3970pF @15VVds
额定功率Max 2.8 W
下降时间 4.8 ns
耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 DirectFET? Isometric MX
外形尺寸
封装 DirectFET? Isometric MX
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买IRF6612TR1