IRF7832TR参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IRF7832TR图片1

IRF7832TR图片2

IRF7832TR图片3

IRF7832TR图片4

IRF7832TR概述

SOIC N-CH 30V 20A

N-Channel 30V 20A Ta Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

IRF7832TR中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 20.0 A

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta

产品系列 IRF7832

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 12.3 ns

输入电容Ciss 4310pF @15VVds

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF7832TR

型号： IRF7832TR

制造商： Infineon 英飞凌

描述：SOIC N-CH 30V 20A

替代型号IRF7832TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRF7832TR Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRF7832TRPBF 英飞凌	类似代替	IRF7832TR和IRF7832TRPBF的区别
IRF7862TRPBF 英飞凌	类似代替	IRF7832TR和IRF7862TRPBF的区别
IRF7832PBF 英飞凌	类似代替	IRF7832TR和IRF7832PBF的区别