SOIC N-CH 30V 19A
Benefits:
得捷: MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 19A
输入电容Ciss 3710pF @15VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册
IRF7834
Infineon 英飞凌
当前型号
IRF7834TRPBF
英飞凌
功能相似
IRF7834PBF
7834