IRF7834

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IRF7834概述

SOIC N-CH 30V 19A

Benefits:

.
RoHS Compliant
.
Industry-leading quality
.
Low RDSON at 4.5V VGS
.
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
.
Ultra-Low Gate Impedance

得捷:
MOSFET N-CH 30V 19A 8SO


IRF7834中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 19A

输入电容Ciss 3710pF @15VVds

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买IRF7834
型号: IRF7834
描述:SOIC N-CH 30V 19A
替代型号IRF7834
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