IRF1010NLPBF

IRF1010NLPBF图片1
IRF1010NLPBF概述

TO-262 N-CH 55V 85A

N-Channel 55V 85A Tc 180W Tc Through Hole TO-262


得捷:
MOSFET N-CH 55V 85A TO262


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262


IRF1010NLPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 180W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 85A

输入电容Ciss 3210pF @25VVds

耗散功率Max 180W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: IRF1010NLPBF
描述:TO-262 N-CH 55V 85A

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