IRF6611概述
Direct-FET N-CH 30V 27A
N-Channel 30V 32A Ta, 150A Tc 3.9W Ta, 89W Tc Surface Mount DIRECTFET™ MX
得捷:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
贸泽:
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX
IRF6611中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 2.6 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 3.9 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 27A
上升时间 57 ns
输入电容Ciss 4860pF @15VVds
下降时间 6.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
耗散功率Max 3.9W Ta, 89W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 DirectFET-MX
外形尺寸
长度 6.35 mm
宽度 5.05 mm
高度 0.7 mm
封装 DirectFET-MX
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
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