IRF3709LPBF概述
TO-262 N-CH 30V 90A
通孔 N 通道 30 V 90A（Tc） 3.1W（Ta），120W（Tc） TO-262
得捷:
MOSFET N-CH 30V 90A TO262
贸泽:
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC
Win Source:
SMPS MOSFET
IRF3709LPBF中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 10.5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 120 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 171 ns
输入电容Ciss 2672pF @16VVds
下降时间 9.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 120W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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