Direct-FET N-CH 30V 32A
N-Channel 30V 32A Ta, 180A Tc 2.8W Ta, 89W Tc Surface Mount DIRECTFET™ MX
得捷:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
额定电压DC 30.0 V
额定电流 32.0 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.8W Ta, 89W Tc
产品系列 IRF6635
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 13.0 ns
输入电容Ciss 5970pF @15VVds
耗散功率Max 2.8W Ta, 89W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 Direct-FET
封装 Direct-FET
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IRF6635 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF6727MTRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF6635和IRF6727MTRPBF的区别 |
IRF6635TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF6635和IRF6635TRPBF的区别 |
IRF6635PBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF6635和IRF6635PBF的区别 |