IRF7464TRPBF概述
SOIC N-CH 200V 1.2A
N-Channel 200V 1.2A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8SO
贸泽:
MOSFET MOSFT 200V 1.2A 730mOhm 9.5nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-Pin SOIC T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 1.2A 8-SOIC
IRF7464TRPBF中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 730 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 1.2A
上升时间 9.5 ns
输入电容Ciss 280pF @25VVds
下降时间 15 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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