IRF6611TR1PBF概述
Direct-FET N-CH 30V 32A
N-Channel 30V 32A Ta, 150A Tc 3.9W Ta, 89W Tc Surface Mount DIRECTFET™ MX
得捷:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 7-Pin Direct-FET MX T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 89W; DirectFET
IRF6611TR1PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 89 W
极性 N-CH
耗散功率 3.9W Ta, 89W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 32A
上升时间 57 ns
输入电容Ciss 4860pF @15VVds
下降时间 6.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 3.9W Ta, 89W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
外形尺寸
封装 Direct-FET
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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