IRF6626TRPBF概述
Direct-FET N-CH 30V 16A
表面贴装型 N 通道 30 V 16A（Ta），72A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ ST
得捷:
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; 42W; DirectFET
IRF6626TRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 42 W
极性 N-CH
耗散功率 2.2W Ta, 42W Tc
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 2380pF @15VVds
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
外形尺寸
封装 Direct-FET
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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