D2PAK N-CH 30V 116A
表面贴装型 N 通道 116A（Tc） 3.8W（Ta），180W（Tc） D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
贸泽:
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 116A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 116 A
极性 N-Channel
耗散功率 170 W
产品系列 IRL2203NS
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 116 A
上升时间 160 ns
输入电容Ciss 3290pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
下降时间 66 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 180W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRL2203NSTRRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRL2203NSTRLPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRL2203NSTRRPBF和IRL2203NSTRLPBF的区别 |