IRFS59N10DTRRP参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRFS59N10DTRRP概述

D2PAK N-CH 100V 59A

N-Channel 100V 59A Tc 3.8W Ta, 200W Tc Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

IRFS59N10DTRRP中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 3.8W Ta, 200W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 59A

输入电容Ciss 2450pF @25VVds

耗散功率Max 3.8W Ta, 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFS59N10DTRRP

型号： IRFS59N10DTRRP

描述：D2PAK N-CH 100V 59A

替代型号IRFS59N10DTRRP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IRFS59N10DTRRP Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IRFS59N10DPBF 英飞凌	类似代替	IRFS59N10DTRRP和IRFS59N10DPBF的区别

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IRFS59N10DTRRP

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