INFINEON IPW90R120C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 900 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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IPW90R120C3
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### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
贸泽:
MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin TO-247 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin3+Tab TO-247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# INFINEON IPW90R120C3 Power MOSFET, N Channel, 36 A, 900 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V
儒卓力:
**N-CH 900V 23A 120mOhm TO247-3 **
力源芯城:
900V,36A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
DeviceMart:
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.1 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 417 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 36.0 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 6800pF @100VVds
额定功率Max 417 W
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 417W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 计算机和计算机周边, Consumer Electronics, 消费电子产品, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Lighting, 照明, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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