IPW90R120C3

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IPW90R120C3概述

INFINEON  IPW90R120C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 900 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


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IPW90R120C3


欧时:
### Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET N-Ch 900V 36A TO247-3 CoolMOS C3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin3+Tab TO-247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 36A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# INFINEON  IPW90R120C3  Power MOSFET, N Channel, 36 A, 900 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V


儒卓力:
**N-CH 900V 23A 120mOhm TO247-3 **


力源芯城:
900V,36A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247


DeviceMart:
MOSFET N-CH 900V 36A TO-247


IPW90R120C3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 417 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 36.0 A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 6800pF @100VVds

额定功率Max 417 W

下降时间 24 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 417W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 计算机和计算机周边, Consumer Electronics, 消费电子产品, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Lighting, 照明, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买IPW90R120C3
型号: IPW90R120C3
描述:INFINEON  IPW90R120C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 36 A, 900 V, 0.1 ohm, 10 V, 3 V
替代型号IPW90R120C3
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