Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3Pin2+Tab DPAK T/R
N-Channel 200V 4.8A Tc 42W Tc Surface Mount DPAK
得捷: MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
耗散功率 42 W
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 280pF @25VVds
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
IRFR220,118
NXP 恩智浦
当前型号
IRFR220
英特矽尔
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