IRF3315STRRPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF3315STRRPBF概述

D2PAK N-CH 150V 21A

表面贴装型 N 通道 150 V 21A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 94W; D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK

IRF3315STRRPBF中文资料参数规格

技术参数

额定功率 94 W

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 3.8W Ta, 94W Tc

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 21A

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

耗散功率Max 3.8W Ta, 94W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

宽度 9.65 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF3315STRRPBF

型号： IRF3315STRRPBF

制造商： Infineon 英飞凌

描述：D2PAK N-CH 150V 21A

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替代型号IRF3315STRRPBF

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