Direct-FET N-CH 100V 5.7A
N-Channel 100 V 5.7A Ta, 25A Tc 3W Ta, 42W Tc Surface Mount DIRECTFET™ SJ
得捷:
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
贸泽:
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ
Win Source:
DirectFET Power MOSFET Typical calues unless otherwise specified
极性 N-CH
耗散功率 3 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 5.7A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 890pF @25VVds
下降时间 5.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
长度 4.85 mm
宽度 3.95 mm
高度 0.7 mm
封装 Direct-FET
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Load Switch High Side, Isolated Primary Side MOSFETs, Class D Audio, Battery Operated Drive
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF6645 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF6645TRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF6645和IRF6645TRPBF的区别 |
IRF6645PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF6645和IRF6645PBF的区别 |