Direct-FET N-CH 40V 12.7A
N-Channel 40V 2.1W Ta, 42W Tc Surface Mount DIRECTFET™ ST
得捷:
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 12.7A 7-Pin Direct-FET ST T/R
漏源极电阻 5.90 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.1W Ta, 42W Tc
产品系列 IRF6614
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
连续漏极电流Ids 10.1 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 2560pF @20VVds
下降时间 3.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta, 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 Direct-FET
封装 Direct-FET
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF6614 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF6614TRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF6614和IRF6614TRPBF的区别 |