Direct-FET N-CH 100V 4.2A
N-Channel 100V 4.2A Ta, 19A Tc 2.2W Ta, 42W Tc Surface Mount DIRECTFET™ SH
得捷:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
贸泽:
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH
漏源极电阻 53.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.2 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100V min
连续漏极电流Ids 19.0 A
上升时间 2.8 ns
输入电容Ciss 530pF @25VVds
下降时间 4.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 2.2W Ta, 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 DirectFET-SH
长度 4.85 mm
宽度 3.95 mm
高度 0.7 mm
封装 DirectFET-SH
工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF6655TR1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF6655TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF6655TR1和IRF6655TRPBF的区别 |