IRFR1N60ATRRPBF

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IRFR1N60ATRRPBF中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-Channel

耗散功率 36.0 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 1.40 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

宽度 6.22 mm

封装 TO-252-3

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

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型号: IRFR1N60ATRRPBF
描述:功率MOSFET Power MOSFET

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